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恩智浦推出矽基解決方案微波 NPN 電晶體 @ beephone
2007/11/06 19:10記者鄭彙翰/報導



為無線設備提供超高性能和可靠性

恩智浦半導體 (NXP Semiconductors) 今天推出矽基離散器件解決方案中的首款產品 BFU725F 微波 NPN 電晶體。BFU725F 具有高開關頻率、高增益 (high-gain) 和超低噪音等多項優點,使其成為各種 RF 應用的理想解決方案。其超低噪音指標可以改善各種無線設備,例如 GPS 系統、DECT 電話、衛星無線電、WLAN / CDMA 應用中靈敏的 RF 接收器的接收效果,而其超高截止頻率 (cut-off frequency) 則可以滿足運作頻率在 10 GHz 到 30 GHz 以內的各種應用需求,例如衛星低噪音區塊 (low noise block)。恩智浦 BFU725F 微波電晶體現已開始大量供應

恩智浦創新經理 Bart Smolders 表示︰「QUBiC4X 的設計旨在確切滿足實際的高頻應的需求,並巧妙結合了超高的功率增益和優良的動態範圍。我們的想法是創造一種具有砷化鎵 (GaAs) 技術性能的技術,這樣我們就能夠提供具有高成本效益的整合高頻解決方案。」

為解決現今設備的性能需求和生產商所考慮的成本問題,BFU725F 電晶體在開發時使用了恩智浦用於離散器件、已經驗証的碳矽化鍺 (SiGeC) 製程技術,該製程還用於開發單晶片 IC 和寬頻電晶體。BFU725F 符合 RoHS 標準,可達到極低的噪音和很高的最大穩定增益。獨特的特點包括高達 fT 70 GHz 的開關頻率,及以 SOT343F 塑膠表面黏著封裝 (plastic surface-mount package)。

CalAmp 公司工程衛星產品總監 Bruce Bruchan 表示︰「我們選擇了恩智浦的 SiGeC BiCMOS 技術,因為最後結果顯示,這一極具成本效益的矽基離散器件不但能提供良好的功率增益,並具備優良的動態範圍。恩智浦不斷開發利用 SiGeC BiCMOS 技術製造的產品,並透過持續創新以應對快速變化且日益增長的微波和無線市場需求,顯示了恩智浦對其客戶的承諾。」

除了已經上市的解決方案包括用於衛星低噪音區塊的高度整合 IC TFF1004HN,以及 BFU725F 微波電晶體,恩智浦正在開發其他幾種矽基寬頻電晶體和 MMIC (單片微波 IC),預計將於今年年底和 2008 年年初上市。

新聞關鍵字NXP BFU725F, 恩智浦半導體, 矽基離散器, 微波電晶體, NPN,
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